郑州某半导IC芯片生产我们，晶圆生产进程中行成含硅、氟的异常焦化生产废水，来设计工作的规模1200吨/日。焦化生产废水材料多样化，带有微米级硅粒子及氢佛酸，民俗工作做法难于未达标。 电镀废水物质及因素 关键影响物 ：悬浊液硅（100-500nm粒级）、氟亚铁离子（200-300mg/L）、异丙醇 特征流程 ：晶圆刻蚀污废气 （45%）、CMP化学上机械化打磨污废气 （40%）、机器设备清扫冲洗水（15%） 清理加工工作流程 研发采用了"催化发展+重型膜分离出来"技术水平路径： 钙盐积淀 ：污泥脱水氯化钙清理氟铁离子（出现CaF2发展） 水解酸化池作用 ：黏结斜板沉淀池剂控制固体硅脱稳 管式微滤 ：0.1μm孔经膜挤占微细颗粒物 反覆盖系统化 ：脱盐率>98%，回收处理率75% 化掉结晶体 ：浓水段推动氟化物污水处理技术出 决定成果 氟化物密度：<8mg/L（小于发展中国家4级标准规定10mg/L） 硅含铁：<5mg/L 水材料中水回用率：70%采用散热塔补湿 危险废物减轻药量：汽化残留量较常用工艺流程可以减少60%